DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，性能高。
SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
mdash;—写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。
DIMM)：
1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。
2.更省电：DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率(RASR，Partial Array Self-Refresh功能)，达到省电目的。
3.容量更大：更多的Bank数量，依照JEDEC标准，DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB)，但目前许多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量，也就是说届时单条DDR2的DRAM模块，容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳，目前规划单条模块到16GB也没问题(注意：这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言，server用的FB与Registered不在此限)。
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